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- DRAM (Dynamic RAM)
Beim dynamischen Schreib-/Lesespeicher (DRAM) müssen die Ladungen zyklisch mit
einem sogenannten Refresh-Impuls immer wieder aufgefrischt werden, um die Daten in den
Speicherzellen zu halten. Der Nachteil: Die Zugriffszeit durch Refresh-Vorgang und
Wartezeiten des Prozessors liegt höher als beim SDRAM. Der Vorteil: DRAM ist
kostengünstig, erwärmt sich weniger und hat durch seine einfachere Struktur eine höhere
Integrationsdichte.
Hochfliegende Pläne hat Samsung:
Das Unternehmen will mit 0,13-Mikron-Technik 4-GBit-DRAM-Chips fertigen. Die Chips mit 500
MB Speicherkapazität gehen zwar erst in zehn Jahren in die Massenproduktion. Die Technik
läßt sich laut Hersteller jedoch auch bei bestehenden Produkten - etwa den
preisgünstigen 16-MBit-DRAM-Chips einsetzen.
- FeRAM
siehe MRAM
- FPM (Fast Page Mode) DRAM
FPM war lange der DRAM-Standard, ist aber mittlerweile veraltet und von EDO
übertroffen. FPM DRAM optimiert den Zugriff auf Daten: Fragt der Prozessor nach Daten,
die in derselben Reihe einer Seite wie die der zuletzt angeforderten liegen, muß der
Speichercontroller nur noch die Spaltenposition adressieren.
- EDO (Extended Data-Out) DRAM
Der EDO DRAM (oder Hyper PageMode DRAM) arbeitet ähnlich wie der FPM-Speicher,
ist aber schneller dank Änderungen des CAS (Column Address Signal) und des verlängerten
Data-Outputs. Diese Chips können Datenwerte noch zum Auslesen bereit halten, während
bereits die nächste Adresse angelegt wird. Das beschleunigt Lesevorgänge.
- MRAM (Speicherchips hoher Packungsdichte auf Magnetbasis)
Bevor das Silizium Einzug in die Speichermedien gehalten hat, basierten diese auf
magnetisierbaren Eisenkernen - mit dem Vorteil, daß auch bei einer Stromunterbrechung
gespeicherte Informationen nicht verlorengingen; das Booten war dadurch überflüssig und
wird durch MRAMs - auch FeRAMs genannt - wieder überflüssig werden, da sich das gesamte
System immer im Hauptspeicher befindet. Außerdem könnten diese Speicherchips für
wesentlich leichtere Notebooks sorgen, denn die heute (1999) verwendeten RAMs benötigen
in bestimmten Abständen energieaufwendige Refresh-Spannungsstöße (siehe DRAM), um fit zu bleiben; diese entfallen bei den MRAMs.
Bis es soweit ist, wird allerdings noch etwas Zeit vergehen. Prof. Burkhard Hillebrands
von der Uni Kaiserslautern entwickelt diese Chips in Zusammenarbeit mit Siemens. Er
glaubt, dass serienreife MRAMs frühestens im Jahr 2005 auf den Markt kommen werden; siehe
auch:
- RDRAM (Rambus DRAM)
Dieser Speicher der Firma Rambus soll rund
zehnmal schneller als ein herkömmlicher DRAM sein, setzt jedoch Veränderungen im
Speichercontroller und der Hauptplatine voraus.
- SDRAM (Synchronous DRAM)
Der Nachfolger von EDO synchronisiert sich mit dem Systemtakt, der den Prozessor
kontrolliert. Das verhindert Zeitverzögerungen beim Zugriff. Eine Datenserie (Burst) wird
zügig übertragen. Bislang nur in wenigen Computersystemen eingesetzt.
- SLDRAM (Synchronous Link DRAM)
Im September 1998 will Mosaid
erste Muster seiner Synchronous-Link-DRAM-Chips an Compaq, Hewlett Packard und IBM
ausliefern. Diese 64-MBit-Chips schaffen laut Hersteller Datenraten von bis zu 800 MB/s.
SLDRAM soll hauptsächlich in High-End-PCs und Servern eingesetzt werden (siehe auch www.sldram.com).
- SRAM (Static RAM)
Im statischen Schreib-und-Lesespeicher erhält ein ständig fliegender Ruhestrom
die gespeicherte Informationen aufrecht. Vorteil: SRAM braucht keinen Refresh, ist daher
um einiges schneller als DRAM und läßt sich einfacher ansteuern. Nachteile: Höhere
Leistungsaufnahme und stärkere Erwärmung.
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Arbeitsspeicher
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